البيلسان2010
02-10-2011, 05:49
أحدهم حول التحكم المكاني في نمو أسلاك السيلكون النانوية
سعودية تحصل على 3 براءات اختراع في تقنية النانو
http://sabq.org/sabq/misc/get?op=GET_NEWS_IMAGE&name=news87352729.jpg&width=256&height=176
فهد المنجومي- سبق- مكة المكرمة: حصلت وكيلة معهد البحوث العلمية وإحياء التراث الإسلامي عضو هيئة التدريس بقسم الفيزياء بكلية العلوم التطبيقية بجامعة أم القرى الدكتورة مها بنت محمد عمر خياط على عدد من براءات الاختراع في مجال تقنية النانو والخلايا الشمسية، سجلت ثلاثاً منها من قبل شركة آي بي إم بالولايات المتحدة الأمريكية (الشريك التقني لمدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية).
وأوضحت الدكتورة مها أن الاختراع الأول يتمثل في التحكم المكاني في نمو أسلاك السيلكون النانوية باستخدام تفاعل كيميائي في مدى النانومتر للعناصر النشطة كيميائياً، بإيجاد طريقة جديدة للتحكم المكاني في نمو أسلاك أشباه الموصلات النانوية على سطح أشباه المواد الشبه موصلة، باستخدام مواد قابلة للتأكسد مثل الألمنيوم لتحفيز نمو الأسلاك النانوية فوق طبقة من ثاني أكسيد السيلكون سبق تكوينها على سطح شبه الموصل عبر عدد أقل من الخطوات التقنية.
سعودية تحصل على 3 براءات اختراع في تقنية النانو
http://sabq.org/sabq/misc/get?op=GET_NEWS_IMAGE&name=news87352729.jpg&width=256&height=176
فهد المنجومي- سبق- مكة المكرمة: حصلت وكيلة معهد البحوث العلمية وإحياء التراث الإسلامي عضو هيئة التدريس بقسم الفيزياء بكلية العلوم التطبيقية بجامعة أم القرى الدكتورة مها بنت محمد عمر خياط على عدد من براءات الاختراع في مجال تقنية النانو والخلايا الشمسية، سجلت ثلاثاً منها من قبل شركة آي بي إم بالولايات المتحدة الأمريكية (الشريك التقني لمدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية).
وأوضحت الدكتورة مها أن الاختراع الأول يتمثل في التحكم المكاني في نمو أسلاك السيلكون النانوية باستخدام تفاعل كيميائي في مدى النانومتر للعناصر النشطة كيميائياً، بإيجاد طريقة جديدة للتحكم المكاني في نمو أسلاك أشباه الموصلات النانوية على سطح أشباه المواد الشبه موصلة، باستخدام مواد قابلة للتأكسد مثل الألمنيوم لتحفيز نمو الأسلاك النانوية فوق طبقة من ثاني أكسيد السيلكون سبق تكوينها على سطح شبه الموصل عبر عدد أقل من الخطوات التقنية.