الحث الكهرومغناطيسي
11-04-2014, 20:03
لو سمحتوا ياجماعة الخير
كيف يتم تصخيم التيار وفرق الجهد في الترانزستوﻻ
الكتاب مش واضح
الحث الكهرومغناطيسي
12-04-2014, 13:11
رجاء الرد الكتاب غير واضح
الحث الكهرومغناطيسي
12-04-2014, 15:40
كيف يتم تضحيم الجهد و التيار في الترانزستور الكتاب مش واضح
الحث الكهرومغناطيسي
12-04-2014, 16:24
تضخيم الجهد والتيار الكتاب مش واضح
الحث الكهرومغناطيسي
12-04-2014, 19:21
اريد جوابا جزاكم الله كل خير
الحث الكهرومغناطيسي
13-04-2014, 12:55
لماذا ﻻيوجد رد معقولة مااحد عنده جواب
zizo habli
13-04-2014, 16:54
هناك ثلاثه طرق يعمل بها الترانزيستور كمضخم أو ثلاثة أشكال .
نفهم من ذلك أن أي طرف ممكن أن يكون جزءا من دائرة الدخول والخروج بنفس الوقت.
كلمة أكثر إيجابي سنستعملها في الشرح , وفي الصوره أعلاه توضيح لما نقصد ,
فمثلا لو أخذت ثلاثة مقاومات بترتيب تسلسلي ووضعتها على جهد 12 فولت.
تلاحظ أنني من كل مقاومه أنتج جهد 4 فولت , لاحظ كل مقاومه وكأن لها طرف
إيجابي وسلبي خاص بها وبنفس الوقت عنصر من المجموعه ككل . أنظر المقاومه
2 , إذا قست الجهد بين أ و ب . فهو 4 فولت . وبين أ و ت فهو 8 فولت .
فأقول النقطه أ أكثر إيجابيه بالنسبه للنقطه ت منه للنقطه ب .
سأستعمل عبارة تحويل الجهد إلى تيار والعكس . تحويل التيار إلى جهد , وفي كلا
الحالتين المقصود إستعمال المقاومه لتقوم بهذا الدور , كما في الصوره أدناه .
الدوائر التي شرحتها أعلاه , ومن ضمنها دائرة التضخيم ذات المشع المشترك ,
حيث الميكروفون والسبيكر , كانت دوائر نظريه تقربنا من معرفة دائرة المدخل
ودائرة المخرج , ووضعنا في الجو المطلوب ..... إلخ ... لكن تقطيب الترانزيستور
يختلف عن ذلك بكثير , فأبسطها , إذا كنا بحاجه لثلاث بطاريات لتشغيل الترانزيستور ,
فتلك مصيبة كبيره .
قبل الدخول في موضوع التقطيب الحقيقي للترانسيستور في حالة المشع المشترك
أود ذكر ما يلي :
1- الترانزيستور NPN يمكن تصوره كدايودان , لكن القاعده تشكل جزء من
نقطتي لحام كل دايود , فلا تتصور أنك بوضع دايودان تكون قد إخترعت ترانسيستور جديد .
2- لكي يعمل الترانزيستور NPN القاعده , يجب أن يكون هناك دائما 0.6 فولت
بين القاعده والمشع ..... القاعده دائما 0.6 فولت أكثر إيجابيه من المشع .
3- أي إشاره تصل للقاعده أقل من 0.6فولت , لا يسير لها تيار في القاعده ,
ولن يكون لها إثر على الإطلاق في المجمع .
4- القاعده بحاجه للتيار كي تتحكم بتيار المجمع وليس لجهد.
5- المجمع مصدر للتيار وليس للجهد .
6- المجمع نستخرج منه جهدا بوضع مقاومه بينه وبين مصدر التغذيه .
7- المجمع ذا ممانعه أو مقاومه عاليه مقارنة بالمشع .
8- الترانزيستور يخرج الإشاره المضخمه من المشع أو المجمع أو الإثنين معا .
9- عندما يكون هناك مقاومه للمجمع Rc مجـ التضخيم الذي نحصل عليه هو تضخيم للجهد .
10- عندما نعمل فقط بمقاومة مشع Re مشـ لا نستطيع القول أنه كان هناك تضخيما للجهد ,
لأن المشع دائما أقل جهدا من القاعده ب 0.6فولت , ولكن مع زيادة تيار القاعده , يزداد تيار
المشع بكميه أكبر , فنستطيع القول بأن هناك تضخيما للتيار .
11- عندما تصبح أكبر ممانعة المجمع فلا يستطيع قيادة ممانعه دخول أصغر.
12- عندما تصبح ممانعة المشع أقل يستطيع قيادة ممانعه أقل للمدخل.
13- ربح الجهد من المجمع أكبر من واحد .
14- ربح الجهد من المشع أقل من واحد.
هنا الشرح بالصور http://tech2008.50webs.com/10th1/trans/tr3/transistor.htm
:D
الحث الكهرومغناطيسي
13-04-2014, 17:25
عزيزتي يعطيك العافية
لكن ابغى توضيح اكثر