ستار12
07-10-2005, 20:53
أدى دمج مواد ممغنطة على قاعدة معدنية مع مواد من أشباه الموصلات وتحت ظروف تحكم في التيار الكهربائي المار في هذه المواد إلى ظهور خواص فيزيائية أدهشت العلماء والباحثين وظهر لأول مرة تزانزستور جديد ذو خواص مميزة مثل استهلاك أقل للطاقة مع سرعة أكبر وصغر في الحجم مما ينبئ بثورة جديدة في عالم الالكترونيات تماثل تلك التي ظهرت عندما اكتشفت لأول مرة الخواص الفيزيائية لاشباه الموصلات وانتهاء عصر الترانزستور الذي كان يطلق عليه بأنبوب الكاثود الذي يشبه اللمبة الكبيرة في أجهزة الراديو القديمة ولتتواصل الأبحاث إلى أن تم تصنيع المعالجات السريعة والتي تحتوي على آلاف الترانزيستورات في شريحة متكاملة واحدة وحتى نهاية القرن الماضي واجه العلماء عقبة المئة نانوميتر وهي عدم القدرة على تصنيع أجزاء من الترانزستور بأقل من هذا العرض ( 100نانومتر = والنانومتر حوالي , 10000متر) دون التسبب في اختلاط الإشارات.
ولكن مع بداية القرن الجديد ونتيجة لأبحاث دامت عشر سنوات تقريباً استطاعت معامل آي بي ام اختراق حاجز 100نانومتر لتتلاحق بعد ذلك الاكتشافات ولتعلن عدة معامل نتائج أبحاثها في سباق محموم نحو استغلال التقنية الجديدة
لمن اراد التفاصيل
ولكن مع بداية القرن الجديد ونتيجة لأبحاث دامت عشر سنوات تقريباً استطاعت معامل آي بي ام اختراق حاجز 100نانومتر لتتلاحق بعد ذلك الاكتشافات ولتعلن عدة معامل نتائج أبحاثها في سباق محموم نحو استغلال التقنية الجديدة
لمن اراد التفاصيل