ملتقى الفيزيائيين العرب - عرض مشاركة واحدة - معامل التضخيم الله يوفقكم الليلة
عرض مشاركة واحدة
  #5  
قديم 30-04-2008, 01:29
الصورة الرمزية الوهج
الوهج
غير متواجد
مسجل في الدورة الثانية لتعليم الفيزياء
 
تاريخ التسجيل: Sep 2005
الدولة: جـــدة
المشاركات: 151
افتراضي رد: معامل التضخيم الله يوفقكم الليلة


المشاركة الأصلية كتبت بواسطة بلجريف

الف شكر على هذا الاسترسال في الشرح الرائع ياوهج
ولكن لدي بعض الاسئلة التي مازالت محيرة ، وقد ورجعت لبعض المراجع ولم أجد الإجابة ولعلك تفيديني :
1-ماهي وظيفة الترانزيستور : أليست تضخيم شدة التيار ؛ أي أن التيار الجامع ( الخارج ) يكون أكبر من التيار الباعث ( الداخل ) فلماذا المذكور في الكتاب عكس ذلك ؟! وإذا كان(تيار الباعث= تيار الجامع) فمالفائدة من تساويهما ؟!.
2-بالنسبة إلى إتجاه التيار في الباعث في الوصلة(س م س) يكون السهم من القاعدة إلى الباعث ؛ أي توصيل دائرة القاعدة بمصدر جهد موجب .
أليس الباعث هو من يبدأ منه التيار ويمر في القاعدة ؛ ليخرج من الجامع ؟!.
3- لماذا هناك ثلاث طرق للتضخيم ؟! ألا يؤدي تضخيم الجهد ألى تضخيم التيار ؟!
أفيدونا بشرح مبسط لآلية عمل الترانزيستور
بالنسبة للسؤال الاول ... فيبدو لي انه عندك التباس في وظيفة الترانزستور .....

فالترانزستور له ثلاث وظائف ... وكل وظيفة تتبع طريقة توصيل محددة تختلف عن الاخرى ..... فللحصول على تضخيم للتيار علينا توصيل الترانزستور بطريقة المجمع المشترك ... وهي طريقة تختلف كليا عن الموجودة بكتاب الطالب ( اقصد الرسمة في صفحة 111 ) ... بالاضافة الى ان كتاب الطالب لم يتطرق لهذه الطريقة البتة ...
وبالتالي سؤالك عن تيار المجمع والذي تفترض انه اكبر من تيار الباعث غير صحيح لان الكتاب يتحدث عن تضخيم الجهد وليس تضخيم التيار لذلك هو بالتحديد يتحدث عن دائرة القاعدة المشتركة والذي هدفها تضخيم الجهد .... وكما اسلفت بما ان مقاومة المجمع كبيرة جدا ويمر بالمجمع نفس تيار الباعث ... اذا جهد المجمع اكبر من جهد الباعث ... ونعلم ان جهد المجمع هو الجهد الخارج اذا سيكون الجهد الخارج ضخما مقارنة بجهد الباعث ( الداخل ) ... وحددنا الداخل للباعث والخارج للمجمع على اساس طريقة توصيل الترنزستور في الدائرة وهي طريقة القاعدة المشتركة ...



بالنسبة للسؤال الثاني .....

اتجاه السهم ليس له علاقة باتجاه التيار ... ولكن اتجاه السهم له دلالة على نوع الترانزستور فقط .....

وبما انك اشرت الى ان السهم خارج من الباعث ... وواضح انك تتحدث عن الدائرة المرسومة في كتاب الطالب .... فافيدك بان دائرة الترنزستور الموجودة في الكتاب هي دائرة القاعدة المشتركة .. وانت بالتحديد تتحدث عن دائرة القاعدة الباعث ... كما افيدك ان الكتاب ذكر ان سهم الباعث يشير الى اتجاه التيار الاصطلاحي ... وليس الفعلي ... فعمليا وفعليا التيار سيدخل من جهة الباعث ويخرج من جهة القاعدة ( لان التوصيل امامي ..... راجع طرق توصيل المقوم البلوري ) ولكن لان جهد القاعدة سيكون كبيرا لا بد من مصدر اخر للجهد يكون صغيرا ( دائرة القاعدة المجمع ) حتى يفك انحياز الجهد للقاعدة وبالتالي يمر التيار الى المجمع .


بالنسبة للسؤال الثالث ......

هناك ثلاث طرق للتضخيم ... وكل طريقة تختلف عن الاخرى , وكل طريقة لها هدف يختلف عن الاخرى وطريقة توصيل تختلف كذلك عن طرق توصيل الاخريات ... والسبب هو اننا نستطيع اللعب ( ان صح التعبير ) بمقاومة كل جزء من الترانزستور عن طريق التحكم بالجهد ... لذلك الترانزستور يوصل باكثر من مصدر للجهد من اجل التحكم بمقاومة جزء معين في الترانزستور وبالتالي استطيع ان اغير قيمة الجهد الداخل او التيار او القدرة ..........

ولا يؤدي تضخيم الجهد الى تضخيم التيار .... فالسر في الترانزستور هو التحكم بالمقاومة ( اعتبر كل جزء من الترانزستور مقاومة متغيرة ) ...... اذا لتضخيم الجهد ليس معنى ذلك اني سادخل تيار صغير ويخرج تيار كبير و يصاحبه جهد كبير .... اصلا هذا الكلام يخالف قانون حفظ الطاقة ....... بمعنى اني استخدم التيار لتضخيم الجهد .. او العكس .. ... اي لتضخيم الجهد ساستخدم تيار كبير ... .. ... فالتيار الداخل هو نفسه التيار الخارج ... ولكن الفرق هو ان التيار الداخل مر من خلال وصلة مقاومتها صغيرة ... وبالتالي سيكون الجهد في تلك الوصلة صغيرا ..... ومن ثم اجبرت نفس التيار بطريقة معينة ( من خلال التحكم بجهد القاعدة ) الخروج من وصلة اخرى ذات مقاومة كبيرة وبالتالي تضخم الجهد لمرور نفس التيار تقريبا في وصلة مقاومتها كبيرة ..... اذا من البديهي لاضخم الجهد اكثر ساستخدم او امرر من البداية تيار كبير.... فالجهد يعتمد على كلا من التيار والقماومة حسب قانون اوم ....




ولتضخيم التيار ساستخدم جهد كبير في البداية ليعطيني تيار كبير .... ولتكبير القدرة ساستخدم تيار كبير وجهد كبيرين لتضخيم القدرة ..... كل ذلك يمكن بالتحكم في مقاومة وصلة معينة عن طريق التحكم بمصدر جهد خارجي ... وكذلك عن طريق تقنيات في تصنيع الترانزستور كما ذكرت في المشاركة السابقة .......


والله اعلى واعلم .
رد مع اقتباس