من خلال بحثي عن الموضوع وجدت طريقة لصناعة الترانزستورات التكاملية الفائقة
وذلك باستخدام وسائل تقنية حديثة مختلفة تشتمل على عدة عمليات دقيقة متتابعة ، مثل عمليات التصوير باستخدام قوالب معينة ، و الحفر ، و ترسيب مواد كيميائية تعمل كشوائب (مثل ذرات الفسفور) داخل الشبكة البلورية لعنصر السيليكون ، و ذلك لتصبح الشريحة السيليكونية الواحدة في النهاية تعمل عمل أشباه الموصلات semiconductors و التي تبنى منها الترانزستورات. و في ختام عملية إنتاج الشرائح الالكترونية ، يتم وضع طبقة من مادة الألمنيوم يتكون منها أحجبة ثم تحفر لتكوين الروابط بالدوائر الخارجية.
تعتمد فكرة صناعة الدائرة المتكاملة على خطوات:
تكوين سبيكة سيلكون اسطوانية مصمتة من نوع p
تقطيع الاسطوانة إلى أقراص
ترسيب طبقة رفيعة من نوع n
حقن بنوع pلصنع قاعدة الترانزستور و المقاومات
ترسيب طبقة من مادة حساسة للضوء
تعريض المناطق المراد حقنها للضوء
حقن بنوع p
تكرار نفس الخطوات ولكن بنوع n لصنع باعث الترانزستور
تكرار نفس الخطوات للحقن بنوع +p للعزل بين الترانزستورات
طبقة أوكسيد للعزل
ثقب طبقة الأوكسيد في أماكن التوصيل وطباعة التوصيلات بالألمونيوم
فمن خلال فهمي للموضوع بشكل متكامل ان الضوء عند مروره يحيد بسبب صغر المسافات الممكن مروره فيها لأن الطول الموجي للضوء محدود بقيم معينه سواء كان مرئي او ان كان اشعاع كهرومغناطيسي غير مرئي وهنا نجد ان الضوء على ما اعتقد مرئي لذا لم يستطيعوا تصغير الترانزستورات والدائرات التكاملية لأصغر من اقصر طول موجي بسبب حيود الضوء هذا والله أعلم