في السنوات السابقة لم يلفت الأنتباه نوع أخر من مواد أشباه الموصلات علميا وتجاريا مثلما لفتت الأنتباه مجموعة النتريدات الثلاثة IN) و BN و InN)
ويرجع سبب هذا الاهتمام المتزايد إلى الخصائص الفيزيائية غير العادية التي تتميز بها هذه المجموعة والتي يمكن استخدامها في العديد من الابتكارات الالكترونية والالكترونات البصرية ومن الأمثلة الظاهرة على ذلك صمامات الليزر ذات الموجه القصيرة والتي تستفيد من الفجوة العريضة لأحد مكونات هذه المجموعة وهو .AIN
كما أن مركب InN كان من المتوقع أن يكون مادة مناسبة للابتكارات الالكترونية مثل ترانزستورات ذات انتقالية عالية نتيجة لكتلته الفاعلة.
إن اعتماد التألق الضوئي على الضغط يعتبر مهم جدا في فهم الطاقة الالكترونية والخواص التركيبية والمكونات الصلبة في أشباه الموصلات.
إن اثر الضغط على الخواص الالكترونية للمواد (AIN و BNوInN) يمكن استقصاؤه باستخدام كلا الطريقتين التجريبية والنظرية.
في هذه الأطروحة تم الاعتماد على أسلوب الجهد المزيد والتام ذو الموجات المستوية الخطية والذي يعمل تحت برنامج حاسوب يسمى (WIEN2K) والذي يعتمد على نظرية كثافة الشحنات داخل الذرات حيث يستخدم فيها أسلوبين للتقريب وهما LDA)) و (GGA)
http://www.najah.edu/thesis/5171697.pdf