دراسة تغيرات الحالة لكل من المركبين نترات الالمنيوم ونترات الانديوم تحت ضغط عال باستخدام طريقة FP-LAPW
في السنوات السابقة لم يلفت الأنتباه نوع أخر من مواد أشباه الموصلات علميا وتجاريا مثلما لفتت الأنتباه مجموعة النتريدات الثلاثة IN) و BN و InN)
ويرجع سبب هذا الاهتمام المتزايد إلى الخصائص الفيزيائية غير العادية التي تتميز بها هذه المجموعة والتي يمكن استخدامها في العديد من الابتكارات الالكترونية والالكترونات البصرية ومن الأمثلة الظاهرة على ذلك صمامات الليزر ذات الموجه القصيرة والتي تستفيد من الفجوة العريضة لأحد مكونات هذه المجموعة وهو .AIN
كما أن مركب InN كان من المتوقع أن يكون مادة مناسبة للابتكارات الالكترونية مثل ترانزستورات ذات انتقالية عالية نتيجة لكتلته الفاعلة.
إن اعتماد التألق الضوئي على الضغط يعتبر مهم جدا في فهم الطاقة الالكترونية والخواص التركيبية والمكونات الصلبة في أشباه الموصلات.
إن اثر الضغط على الخواص الالكترونية للمواد (AIN و BNوInN) يمكن استقصاؤه باستخدام كلا الطريقتين التجريبية والنظرية.
النص كامل ملف PDF
التحميل