الإســــم:
محمد منير سعد الدين محمد عبد الله
العنوان:
دراسة الخواص الجلفانومغناطيسية والكهروضوئية للمركبات الميكروبللورية وعديدة التبللر المبنية على أساس أنتيمونيد الأنديومالملخص
تحضير مركبات In1-xSbxمن عناصرها حيث xتساوى 0.50 ، 0.51، 0.53، 0.54، 0.60، 0.75 لدراسة تأثير زيادة نسبة الأنتيمون فى أنتيمونيد الانديوم على الخواص التركيبية والجلفانومغناطيسية لهذه المركبات تم تحديد نسب العناصر عمليا باستخدام طريقة تحليل طيف الأشعة السينية EDX . تم أيضا دراسة حيود الأشعة السينية لهذه المركبات 0 بعد ذلك تم دراسة العلاقة بين كل من المقاومة الكهربية النوعية وتركيز وحركية نواقل الشحنات وبين درجة الحرارة 80-450 درجة كلفن هذا بالاضافة الى دراسة العلاقة بين المقاومة فى وجود مجال مغناطيسى (Magnetoresistance) ، وتركيز وحركية نواقل الشحنات وبين شدة المجال المغناطيسى من 1.0 – 10.0 كيلوجاوس وتم تحضير شرائح رقيقة من In1-xSbx واستخدام طريقة التبخير اللحظى عند تفريغ عالى حوالى10-3 باسكال0 وذلك باستخدام المواد المحضرة كمصدر للتبخير 0 وتم تحديد نسب الأنتيمون بطريقة وهى 0.43 ، 0.48، 0.51، 0.58على التوالى 0تم التأكد من التركيب البللورى لهذه الشرائح الرقيقة باستخدام طريقة حيود الأشعة السينية 0 تم دراسة العلاقة بين المقاومة الكهربية النوعية ودرجة الحرارة من 80-450 درجة كلفن لهذه الشرائح الرقيقة تم بعد ذلك دراسة النفاذية الضوئية فى مدى الطول الموجى للأشعة تحت الحمراء للشرائح الرقيقة In1-xSbx حيث “x” يساوى 0.48، 0.51، 0.58 مترسبة على رقائق كلوريد الصوديوم أحادية البللورية وتم تعيين مقدار فجوة الطاقة الضوئية لهذه الشرائح 0 تم أيضا دراسة التوصيلية الكهروضوئية المترددة عند درجة حرارة الغرفة فى مدى أطوال موجات الأشعة تحت الحمراء لشرائح الرقيقة In1-xSbx حيث “x” تساوى 0.43، 0.51 وتعتبر التوصيلية الكهروضوئية فى مدى موجات الأشعة تحت الحمراء هامة للكشف عند امكانية استخدام المادة تحت الدراسة فى مجال كاشفات الأشعة تحت الحمراء وكذلك استخدمنا مسحوق أنتيمونيد الانديوم لتحضير وصلات الكترونية ثنائية من n-InSb/p-Si, p-InSb/n-Si باستخدام طريقة الانماء الابيتاكسى من الحالة السائلة لأهميتها فى مجال الالكترونيات 0 تم دراسة العلاقة بين كل من شدة التيار والسعة الكهربية وبين فرق الجهد لهذه الوصلات الالكترونية لمحاولة تفسير الخواص الكهربية لها،ومن دراستنا وجد أن نموذج Multitunneling-Capture emission هو الغالب لتفسير ميكانيكية انتقال الشحنات الكهربية للوصلة الالكترونية p-InSb/n-Si ومن الناحية الأخرى وجد أن نموذج Multi-step tunneling هو الغالب لتفسير ميكانيكية توصيل التيار الكهربى،نظرا لارتفاع كثافة التشوهات التركيبية على المنطقة الفاصلة بين الطبقتين فى الوصلة الالكترونية n-InSb/p-Si وتم تصنيع ودراسة وتطبيق ميكروبللورات أنتيمونيد الانديوم أحادية البللورية المقاومة لللاشعاع للحصول على حساسات مغناطيسية ذات الحجم الميكرونى