أريد شرح مفصل للترانزسترات و المقاومات و المكثفات ....... - ملتقى الفيزيائيين العرب
  #1  
قديم 29-12-2007, 10:32
الصورة الرمزية الفيزيائي الصغير2
الفيزيائي الصغير2
غير متواجد
فيزيائي جـديد
 
تاريخ التسجيل: Sep 2007
المشاركات: 13
Question أريد شرح مفصل للترانزسترات و المقاومات و المكثفات .......

بسم الله الرحمن الرحيم
السلام عليكم و رحمة الله و بركاته
أريد شرح مفصل للترانزسترات و المقاومات و المكثفات و كل ما هو صغير في الأجهزة الأكتلورنية وفوائدها
رد مع اقتباس
  #2  
قديم 29-12-2007, 20:44
الصورة الرمزية physique man
physique man
غير متواجد
فيزيائي فعال
 
تاريخ التسجيل: Oct 2007
المشاركات: 130
Cool رد: أريد شرح مفصل للترانزسترات و المقاومات و المكثفات .......

المكثف أحد مكونات الدوائر الكهربائية والتي تقوم بتخزين الطاقة على شكل مجال كهربائي يتكون بين موصلين يحمل كل منهما شحنة كهربائية متساوية في المقدار ومتعاكسة في الاتجاه، ويفصل بين الموصلين مادة عازلة (كالهواء مثلا). ويطلق على المكثف أيضا اسم مواسعة أو متسعة. وفي اللغة الإنجليزية يستخدم اسم "مواسعة (Capacitor)" في الوقت الحالي بشكل أكبر، فيما كان يشار له بالاسم "مكثف (Condenser)" في السابق.

الترانزستور (بالإنجليزية: Transistor وهي اختصار لكلمتي Transfer Resistor وتعني مقاومة النقل) أحد أهم مكونات الأدوات الإلكترونية الحديثة مثل الحاسوب، اخترعه العلماء الأمريكيون (والتر براتن) و(جون باردين) و(وليام شكولي ).

كيفية عمله
الترانزستور الوصلي ثنائي القطب، أو الترانزستور ثنائي القطب، الذي يتكون من طبقة رقيقة جدا من نوع من أشباه الموصلات، محشوة بين طبقتين سميكتين من النوع المقابل. فإذا كانت الطبقة الوسطى، على سبيل المثال، من النوع س، تكون الطبقتان الخارجيتان من النوع م. وتسمى المنطقة الوسطى القاعدة، والمنطقتان الخارجيتان الباعث والمجمِّع.

وللترانزستور ثنائي القطب وصلتا م س وثلاثة أطراف. ويربط طرفان من هذه الأطراف، في العادة، الباعث والمجمِّع إلى دائرة خارجية، بينما يصل الطرف الثالث القاعدة بدائرة داخلية. لكن رفع الفولتية المطبقة على القاعدة قليلا يؤدي إلى دخول عدد كبير من الإلكترونات إلى القاعدة عبر الوصلة المنحازة أماميا، ويتفاوت هذا العدد حسب قوة الفولتية. ولأن منطقة القاعدة رقيقة جدا، يستطيع مصدر الفولتية في الدائرة الخرجية جذب الإلكترونات عبر الوصلة المنحازة عكسيا. ونتيجة لذلك يسري تيار قوي عبر الترانزستور، وعبر الدائرة الخارجية. وبهذه الطريقة يمكن التحكم في سريان تيار قوي عبر الدائرة الخارجية، بتزويد القاعدة بإشارة صغيرة.

يمكن استخدام الترانزستور كمفتاح أو كمكبر للجهد أو التيار أو كلاها

أنواع الترانزيستور
والترانزيستور نوعان BJT و FET.

أحدث اختراعها ثورة كبيرة في صناعة الحاسوب إذ أدت إلى تقليل حجمه بدرجة كبيرة جدا وزيادة سرعته مقارنة بالجيل الأول من الحواسيب الذى كان يستخدم الصمامات أو الأنابيب المفرغة كعناصر للبناء و المكثفات و المقاومات. حيث وصل وزن الجيل الأول من الحواسيب إلى ما يزيد عن 30 طنا في حين أن الجيل الثاني منه والذي استخدام الترانزستور فيه كعناصر بناء وصل حجمه إلى أقل من نصف كمبيوتر الجيل الأول بالإضافة إلى انخفاض درجة الحرارة الصادرة عنه مقارنة بنظيره من الجيل الأول.

يصنع الترانزستور من أشباه الموصلات مثل الجاليوم والجرمانيوم والكوارتز. ويتكون الترانزستور من قاعدة (Base) ويرمز لها بالرمز B ومشع (Emitter) ويرمز له بالرمز E والمجمع (Collector) ويرمز له بالرمز C ، والترانزستورات العادية يوجد منها نوعان هما: npn و pnp والفرق بينهما الاول يكون خرجة عن الالكترونيات والاخر خرجة عن طريق الاماكن الفرغة

طريقة فحص الترانزستورات: للترانزستور ثلاثة أطراف كما هو معلوم يرمز لها ب C،B،E كما في هو مبين في الأعلى، والترانزستور ال npn أو ال pnp هو عبارة عن ثنائيين معا وعند الفحص يجب إجراء ستة فحوص للتأكد من سلامة الترانزستور؛ أولها وثانيها: نضع مؤشر ساعة الفحص على الأوم ميتر ثم نضع سلك الساعة الموجب على الطرف الموجب لأحد الثنائيين (Base)والسلك السالب للساعة مع أحد طرفي الثنائيين (C) ويجب أن يعطينا مقاومة صغيرة، وهذا يسمى الفحص الأمامي، والفحص الخلفي يكون بنفس الطريقة على نفس طرفي الترانزستور ولكن بقلب أسلاك الساعة الموجب على السالب للترانزستور والسالب على الموجب فيعطينا مقاومة كبيرة.

ثالثها ورابعها: فحص الطرف (B) مع الطرف الآخر (E) بنفس الآلية السابقة فحصا أماميا وآخر خلفيا وبنفس المحترزات السابقة.

خامسها وسادسها: فحص طرفي الترانزستور من طرفيه (C) و (E) فحصا أماميا ثم قلب أسلاك الساعة على نفس الطرفين ليصبح فحصا خلفيا وليعطينا مقاومة كبيرة جدا في كلا الفحصين.

الخصائص الفزيائية
الترانزستور عبارة عن PNP أو NPN و رمز البي أو الآن هو يدل على نوع التطعيم للمادة شبه الموصلة. لنفرض أن ال بي جي تي الذي سوف نحلل عملية عمله هو أن بي أن. نتيجة أن الباعث به شحنات زائده سالبة (الكترونات ) و القاعدة تحوى القليل منها ينشا تيار يسمي diffusiom current و هذا التيار يكون اتجاه من القاعدة للباعث لانه عكس حركة الالكترونات التى هي من السالب للموجب. و كذا ينشا تيار من نفس النوع و لكن بسبب وجود اغلبيية موجبة في القاعدة عن التي في الباعث و من ثم ينشأ تيار من القاعدة للباعث (اتجاه الشحنات الموجبة هو اتجاه التيار). إذن التيار الكلى هو مجموع التياريين سالفي الذكر. حسنا الآن نعود إلى التيار الناشئ من الأغلبية السالبة في المشع إلى اين تذهب تلك الاكترونات الاجابة انها تواصل طريقهانحو القاعدة و المجمع. و نظرا لوجود بعض الفجوات الموجبة انها سوف يحدث لقليل من الالكترونات الحرة اتحاد مع الفجوات electron hole recombination و قلنا لقليل من الالكترونات و ليس كلها لأن التطعيم الذى تم عمله للقاعدة ليس كثيفا not heavily dopent, و الذي لا يتحد يصل إلى المجمع ثم إلى الدائرة الخارجية. و هنا يجب أن نذكر أن التطعيم للباعث يجب أن يكون كثيفا أما للقاعدة يكون التطعيم أقل من الباعث. و المجمع ليس بالضروة أن يكون مطعما.
هنا نستنتج أن زيادة تطعيم القاعدة تؤدي إلى زياة الفجوات و من ثم الفقد في الإلكترونات التى يمكن العبور إلى المجمع و من ثم الدائرة الخارجية.
سوف نستنتج قانونا عاما يمكن استخدامه في أية مرحلة كانت من مراحل عمل البي جي تي و هو: IE = IB + IC تيار الباعث = تيار القاعدة + تيار المجمع

مقاومة كهربائية هي قطعة كهربائية أو إلكترونية ثنائية الأقطاب تتميز بخاصية مقاومة التيار الكهربائي. وتنقسم إلى عدة أنواع.

المقاومات الحرارية
والهدف من اتخذاها هو انتاج الحرارة، وتعطى بياناتها بجهد تيار الاستعمال، والطاقة التي تبددها. ومن تطبيقاتها أجهزة التدفئة والسخانات

المقاومات الثابتة
وتتخذ في الدوائر الكهربائية والإلكترونية بهدف الحصول على قيم معينة للتوترات أو شدة التيار في نقاط معينة من الدارة. تعطى قيمة هذه المقاومات ونسبة التفاوت عن طريق أطواق ملونة. يمكن معرفة مقدار الطاقة التي تبددها عن طريق حجمها. تعتبر هذه المقاومات الوحيدة التي ينطبق عيها قانون أوم على الرغم من استعمالاتها المتعددة.

المقاومات المتغيرة
ويمكن للمستخدم أن يتحكم في قيمتها، ومن ثمة تغيير شدة التيار أو الجهد. ومن تطبيقات هذا النوع مفتاح تغيير الصوت أو تغيير الموجات في المذياع.

ثنائيات الأقطاب الأخرى
وتتغير قيمة المقاومة فيها حصب عوامل فيزيائية عديدة:
الحرارة: وتقسم إلى نوعين حسب معاملها لحراري، سلبي أو إيجابي.
الضوء: المقاومات الضوئية.
القوى المطبقة عليها: المسابير (أجهزة السبر) والمجسات.
رد مع اقتباس
  #3  
قديم 30-12-2007, 21:12
الصورة الرمزية physique man
physique man
غير متواجد
فيزيائي فعال
 
تاريخ التسجيل: Oct 2007
المشاركات: 130
Red face رد: أريد شرح مفصل للترانزسترات و المقاومات و المكثفات .......

adonno annaho sawfa yofidok wa chokran
merci
رد مع اقتباس
  #4  
قديم 31-12-2007, 17:55
الصورة الرمزية الفيزيائي الصغير2
الفيزيائي الصغير2
غير متواجد
فيزيائي جـديد
 
تاريخ التسجيل: Sep 2007
المشاركات: 13
افتراضي رد: أريد شرح مفصل للترانزسترات و المقاومات و المكثفات .......

مشكوور عالشرح و أريد تشرحو لي عن الchip
رد مع اقتباس
  #5  
قديم 10-08-2008, 18:56
الصورة الرمزية خلفان الشرجي
خلفان الشرجي
غير متواجد
فيزيائي نشط
 
تاريخ التسجيل: Feb 2008
الدولة: سلطنة عمان
المشاركات: 33
افتراضي رد: أريد شرح مفصل للترانزسترات و المقاومات و المكثفات .......

مشكووووووووووووووووووووووور
رد مع اقتباس
اضافة رد

« الموضوع السابق | الموضوع التالي »

الذين يشاهدون محتوى الموضوع الآن : 1 ( الأعضاء 0 والزوار 1)
 
أدوات الموضوع
انواع عرض الموضوع

تعليمات المشاركة
لا تستطيع إضافة مواضيع جديدة
لا تستطيع الرد على المواضيع
لا تستطيع إرفاق ملفات
لا تستطيع تعديل مشاركاتك

BB code is متاحة
كود [IMG] متاحة
كود HTML معطلة

الانتقال السريع

المواضيع المتشابهه للموضوع: أريد شرح مفصل للترانزسترات و المقاومات و المكثفات .......
الموضوع كاتب الموضوع المنتدى مشاركات آخر مشاركة
ربط المقاومات على التوالي و التوازي ناصر اللحياني الكهرباء والمغناطيس والإلكترونيات 28 18-04-2015 19:32
ربط المقاومات ( بوربوينت ) عادل الثبيتي الصف الثالث الثانوي 69 07-03-2012 20:08
المقاومات ( شكويف ) جـــــــود الكهرباء والمغناطيس والإلكترونيات 6 20-04-2010 17:51
بحث عن المقاومات جـــــــود منتدى الفيزياء الكهربائية والمغناطيسية. 20 17-04-2010 23:51
ربط المقاومات المشتاقة للرحمن الصف الثالث الثانوي 9 27-01-2007 21:26






الساعة الآن 17:10



Powered by vBulletin® Copyright ©2000 - 2018, Jelsoft Enterprises Ltd. TranZ By Almuhajir